基本信息
考点57 从原理迁移中突破电学实验例 霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图1所示，在一矩形半导体薄片的p、q间通入电流i，同时外加与薄片垂直的磁场b，在m、n间出现电压uh，这个现象称为霍尔效应，uh称为霍尔电压，且满足uh＝kibd，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数．某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数． 图1 (1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电，电流与磁场方向如图11所示，该同学用电压表测量uh时，应将电压表的“＋”接线柱与________(填“m”或“n”)端通过导线相连． (2)已知薄片厚度d＝0.40 mm，该同学保持磁感应强度b＝0.10 t不变，改变电流i的大小，测量相应的uh值，记录数据如下表所示．根据表中数据在图2中画出uh—i图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为______×10－3 v•m•a－1•t－1(保留2位有效数字). i(×10－3 a) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0 uh(×10－3 v) 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
